一種MOSFET柵源電壓響應高頻脈沖干擾的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011102502.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112434401B 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN112434401B 申請公布日 2021-10-08
分類號 G06F30/20（2020.01）I;G06F30/30（2020.01）I;G06F17/15（2006.01）I 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 邵天驄;鄭瓊林;李志君;李虹;黃波;邱志東;張志朋;王作興;王佳信 申請（專利權(quán)）人 泰科天潤半導體科技（北京）有限公司
代理機構(gòu) 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務所（普通合伙） 代理人 王牌
地址 100000北京市海淀區(qū)西直門外上園村3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種MOSFET柵源電壓響應高頻脈沖干擾的方法，將受到干擾的柵源電壓劃分為干擾動態(tài)分量以及穩(wěn)態(tài)分量；根據(jù)干擾動態(tài)分量以及穩(wěn)態(tài)分量建立柵源電壓的動態(tài)響應模型，用于預測高頻大功率變換器中，MOSFET柵源電壓的干擾尖峰和振蕩，具備簡潔的數(shù)學表征和直觀的物理意義。