一種MOSFET柵源電壓響應(yīng)高頻脈沖干擾的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011102502.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112434401B 公開（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN112434401B 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類號(hào) G06F30/20（2020.01）I;G06F30/30（2020.01）I;G06F17/15（2006.01）I 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 邵天驄;鄭瓊林;李志君;李虹;黃波;邱志東;張志朋;王作興;王佳信 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王牌
地址 100000北京市海淀區(qū)西直門外上園村3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種MOSFET柵源電壓響應(yīng)高頻脈沖干擾的方法，將受到干擾的柵源電壓劃分為干擾動(dòng)態(tài)分量以及穩(wěn)態(tài)分量；根據(jù)干擾動(dòng)態(tài)分量以及穩(wěn)態(tài)分量建立柵源電壓的動(dòng)態(tài)響應(yīng)模型，用于預(yù)測(cè)高頻大功率變換器中，MOSFET柵源電壓的干擾尖峰和振蕩，具備簡(jiǎn)潔的數(shù)學(xué)表征和直觀的物理意義。