一種低閾值電壓SiC圓形柵VDMOSFET功率器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120317492.2 申請日 -
公開（公告）號 CN214378458U 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN214378458U 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 施廣彥;李昀佶 申請（專利權(quán)）人 泰科天潤半導體科技（北京）有限公司
代理機構(gòu) 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務所（普通合伙） 代理人 林燕
地址 100000北京市海淀區(qū)西小口路66號中關(guān)村東升科技園B區(qū)1號樓106A、113A、115A、117A、119A、121A
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種低閾值電壓SiC圓形柵VDMOSFET功率器件，包括縱向自下而上的漏極、N型重摻襯底層、N型輕摻外延層、P型阱區(qū)、源極和柵極；所述柵極為圓形；整個柵極呈圓柱形，其除頂部外均被高k介質(zhì)包圍；所述P型阱區(qū)上設(shè)有介質(zhì)槽，所述介質(zhì)槽縱向深度小于P型阱區(qū)深度；所述源極以及漏極均設(shè)于所述介質(zhì)槽內(nèi)；柵極與源極接觸部分呈現(xiàn)自然過渡，不存在有尖銳角度的情況，不容易發(fā)生電荷積累而造成的擊穿問題，提高了VDMOSFET的可靠性。