一種低閾值電壓SiC圓形柵VDMOSFET功率器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120317492.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN214378458U 公開(kāi)（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN214378458U 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 施廣彥;李昀佶 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 林燕
地址 100000北京市海淀區(qū)西小口路66號(hào)中關(guān)村東升科技園B區(qū)1號(hào)樓106A、113A、115A、117A、119A、121A
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種低閾值電壓SiC圓形柵VDMOSFET功率器件，包括縱向自下而上的漏極、N型重?fù)揭r底層、N型輕摻外延層、P型阱區(qū)、源極和柵極；所述柵極為圓形；整個(gè)柵極呈圓柱形，其除頂部外均被高k介質(zhì)包圍；所述P型阱區(qū)上設(shè)有介質(zhì)槽，所述介質(zhì)槽縱向深度小于P型阱區(qū)深度；所述源極以及漏極均設(shè)于所述介質(zhì)槽內(nèi)；柵極與源極接觸部分呈現(xiàn)自然過(guò)渡，不存在有尖銳角度的情況，不容易發(fā)生電荷積累而造成的擊穿問(wèn)題，提高了VDMOSFET的可靠性。