一種MOSFET柵極負(fù)反饋有源驅(qū)動(dòng)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022294764.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN214125140U 公開（公告）日 2021-09-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN214125140U 申請(qǐng)公布日 2021-09-03
分類號(hào) H02M1/32（2007.01）I;H02M1/08（2006.01）I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 邵天驄;李志君;鄭瓊林;黃波;王俊興 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王牌
地址 100000北京市海淀區(qū)西直門外上園村3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種MOSFET柵極負(fù)反饋有源驅(qū)動(dòng)電路，用于SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體器件在橋臂電路中的高速驅(qū)動(dòng)?；谪?fù)反饋控制原理，在不犧牲開關(guān)速度的前提下，自動(dòng)抑制柵源電壓干擾，實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)下的柵壓穩(wěn)定。所述電路包括：驅(qū)動(dòng)推挽電路、驅(qū)動(dòng)電阻、輔助電容和輔助MOSFET。其中驅(qū)動(dòng)推挽電路為普通的MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，驅(qū)動(dòng)電阻為電阻R，輔助電容為電容C，輔助MOSFET為P溝道MOSFET Qp。該MOSFET柵極負(fù)反饋有源驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，可在不犧牲SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體器件開關(guān)速度的前提下，自動(dòng)抑制柵源電壓干擾，實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)下的柵壓穩(wěn)定。