一種集成SBD的碳化硅UMOSFET器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120357500.6 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN214378459U 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號(hào) CN214378459U 申請公布日 2021-10-08
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L29/47（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 施廣彥;李昀佶 申請（專利權(quán)）人 泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王牌
地址 100000北京市海淀區(qū)西小口路66號(hào)中關(guān)村東升科技園B區(qū)1號(hào)樓106A、113A、115A、117A、119A、121A
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種集成SBD的碳化硅UMOSFET器件，所述器件包括自下而上的第三金屬，N+襯底和N?外延層；N?外延層具有第一P?阱區(qū)、第一N+注入?yún)^(qū)、第一P+注入?yún)^(qū)、第二P+注入?yún)^(qū)、第一溝槽和第二溝槽；還包括：第一金屬，第一金屬覆蓋部分第一N+注入?yún)^(qū)上表面、第一P?阱區(qū)側(cè)表面和第二P+注入?yún)^(qū)上表面以形成歐姆接觸；第二金屬，第二金屬覆蓋第一間隔上表面以形成肖特基接觸；所述集成SBD的碳化硅UMOSFET器件集成了額外的肖特基二極管，提升器件續(xù)流能力；同時(shí)利用深P+屏蔽區(qū)和部分包圍槽角的P+注入?yún)^(qū)有效屏蔽或緩解柵極氧化層左右兩個(gè)槽角處的電場集中現(xiàn)象，從而提升器件的反向耐壓能力和使用可靠性。