一種三柵SiCJFET橫向器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120317459.X 申請日 -
公開（公告）號 CN214378461U 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN214378461U 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L29/808（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 施廣彥;李昀佶 申請（專利權(quán)）人 泰科天潤半導體科技（北京）有限公司
代理機構(gòu) 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務所（普通合伙） 代理人 林燕
地址 100000北京市海淀區(qū)西小口路66號中關村東升科技園B區(qū)1號樓106A、113A、115A、117A、119A、121A
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種三柵SiC JFET橫向器件，包括縱向自下而上的體電極、外延層、溝道區(qū)、源極、漏極、兩個第一側(cè)柵和頂柵；每個所述第一側(cè)柵頂部與頂柵相連，兩個第一側(cè)柵和頂柵形成倒U型柵金屬結(jié)構(gòu)，每個所述第一側(cè)柵底部與外延層連接，并在頂柵處形成柵電極；所述頂柵和第一側(cè)柵均與溝道區(qū)直接接觸形成pn結(jié)；所述源極以及漏極均連接至所述外延層，且均與所述溝道區(qū)連接；在較低柵壓情況下有足夠低的比接觸電阻，在低工作頻率應用情況下，可以大幅降低驅(qū)動功耗。