一種具有埋層結(jié)構(gòu)的深層肖特基功率器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110613801.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113394292A 公開（公告）日 2021-09-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN113394292A 申請(qǐng)公布日 2021-09-14
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張瑜潔;施廣彥;劉剛;李志君;黃波 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王牌
地址 100000北京市海淀區(qū)西小口路66號(hào)中關(guān)村東升科技園B區(qū)1號(hào)樓106A、113A、115A、117A、119A、121A
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種具有埋層結(jié)構(gòu)的深層肖特基功率器件及其制備方法，所述器件包括：襯底層；緩沖層設(shè)于所述襯底層上側(cè)面；至少一塊埋層，所述埋層設(shè)于所述緩沖層上側(cè)面，所述埋層寬度小于所述緩沖層寬度；漂移層設(shè)于所述緩沖層上側(cè)面，所述埋層設(shè)于所述緩沖層以及漂移層之間，所述漂移層上設(shè)有至少一個(gè)漂移凹槽；至少一塊絕緣型多晶硅層，所述絕緣型多晶硅層設(shè)于所述漂移凹槽內(nèi)，所述絕緣型多晶硅層設(shè)有一多晶硅凹槽；至少一塊肖特基接觸電極，所述肖特基接觸電極設(shè)于所述多晶硅凹槽內(nèi)；陽極設(shè)于所述漂移層上，且與所述絕緣型多晶硅層以及肖特基接觸電極連接；陰極連接至所述襯底層下側(cè)面；解決器件元胞面積過大的問題。