一種三柵SiCJFET橫向器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110171334.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113161425A 公開（公告）日 2021-07-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN113161425A 申請(qǐng)公布日 2021-07-23
分類號(hào) H01L29/808（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 施廣彥;秋琪;李昀佶 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 林燕
地址 100000北京市海淀區(qū)西小口路66號(hào)中關(guān)村東升科技園B區(qū)1號(hào)樓106A、113A、115A、117A、119A、121A
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種三柵SiC JFET橫向器件，包括縱向自下而上的體電極、外延層、溝道區(qū)、源極、漏極、兩個(gè)第一側(cè)柵和頂柵；每個(gè)所述第一側(cè)柵頂部與頂柵相連，兩個(gè)第一側(cè)柵和頂柵形成倒U型柵金屬結(jié)構(gòu)，每個(gè)所述第一側(cè)柵底部與外延層連接，并在頂柵處形成柵電極；所述頂柵和第一側(cè)柵均與溝道區(qū)直接接觸形成pn結(jié)；所述源極以及漏極均連接至所述外延層，且均與所述溝道區(qū)連接；在較低柵壓情況下有足夠低的比接觸電阻，在低工作頻率應(yīng)用情況下，可以大幅降低驅(qū)動(dòng)功耗。