雙柵型功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其驅(qū)動(dòng)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202023183144.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN214152896U 公開（公告）日 2021-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN214152896U 申請(qǐng)公布日 2021-09-07
分類號(hào) H01L25/07（2006.01）I;H03K19/0175（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邵天驄;李志君;鄭瓊林;黃波;王俊興 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王牌
地址 100000北京市海淀區(qū)西直門外上園村3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種雙柵型功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其驅(qū)動(dòng)電路,包括主功率單元以及輔助穩(wěn)定單元，所述主功率單元為第一MOSFET Q1，所述輔助穩(wěn)定單元為第二MOSFET Q2；在較高的漏源電壓電流變化率條件下，保持MOSFET柵源電壓穩(wěn)定性，讓MOSFET獲得魯棒免疫高開關(guān)速度干擾的特性。采用該功率半導(dǎo)體器件的電力電子變換器系統(tǒng)能夠可靠工作于更高頻率、更高電壓的環(huán)境。