一種狹縫聚焦型超高真空運(yùn)行的磁偏轉(zhuǎn)電子束蒸發(fā)源

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202020591488.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN213652624U 公開(kāi)（公告）日 2021-07-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN213652624U 申請(qǐng)公布日 2021-07-09
分類(lèi)號(hào) C23C14/30（2006.01）I 分類(lèi) 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 阿力甫·庫(kù)提魯克;李浩;梅新靈;謝斌平 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 費(fèi)勉儀器科技（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海精晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 姜杉
地址 201900上海市寶山區(qū)顧村工業(yè)園區(qū)富聯(lián)二路189號(hào)4幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種狹縫聚焦型超高真空運(yùn)行的磁偏轉(zhuǎn)電子束蒸發(fā)源，包括蒸發(fā)區(qū)和電子發(fā)射區(qū)，所述蒸發(fā)區(qū)包括坩堝（2），所述電子發(fā)射區(qū)包括直通腔體（5）、電子槍?zhuān)?1）和主磁場(chǎng)（9），所述電子發(fā)射區(qū)和所述蒸發(fā)區(qū)之間通過(guò)直通腔體上端法蘭與蒸發(fā)區(qū)下端法蘭連接，所述蒸發(fā)區(qū)下端法蘭與所述直通腔體上端法蘭之間設(shè)置有隔離板（12）；所述坩堝（2）設(shè)置在所述隔離板（12）上；所述隔離板（12）上設(shè)置有聚焦通孔（1）；所述聚焦通孔（1）包括磁鐵基座（13）與多塊偶數(shù)片磁鐵（14）。本實(shí)用新型有益效果是：大幅度消除高溫環(huán)境下由于材料表面逸放出的雜質(zhì)成分氣體及輕元素對(duì)薄膜純度以及蒸發(fā)源性能及其壽命的影響，從而提高蒸發(fā)源性能與壽命。