一種狹縫聚焦型超高真空運行的磁偏轉(zhuǎn)電子束蒸發(fā)源

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020591488.0 申請日 -
公開（公告）號 CN213652624U 公開（公告）日 2021-07-09
申請公布號 CN213652624U 申請公布日 2021-07-09
分類號 C23C14/30（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 阿力甫·庫提魯克;李浩;梅新靈;謝斌平 申請（專利權(quán)）人 費勉儀器科技（上海）有限公司
代理機構(gòu) 上海精晟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 姜杉
地址 201900上海市寶山區(qū)顧村工業(yè)園區(qū)富聯(lián)二路189號4幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種狹縫聚焦型超高真空運行的磁偏轉(zhuǎn)電子束蒸發(fā)源，包括蒸發(fā)區(qū)和電子發(fā)射區(qū)，所述蒸發(fā)區(qū)包括坩堝（2），所述電子發(fā)射區(qū)包括直通腔體（5）、電子槍（11）和主磁場（9），所述電子發(fā)射區(qū)和所述蒸發(fā)區(qū)之間通過直通腔體上端法蘭與蒸發(fā)區(qū)下端法蘭連接，所述蒸發(fā)區(qū)下端法蘭與所述直通腔體上端法蘭之間設(shè)置有隔離板（12）；所述坩堝（2）設(shè)置在所述隔離板（12）上；所述隔離板（12）上設(shè)置有聚焦通孔（1）；所述聚焦通孔（1）包括磁鐵基座（13）與多塊偶數(shù)片磁鐵（14）。本實用新型有益效果是：大幅度消除高溫環(huán)境下由于材料表面逸放出的雜質(zhì)成分氣體及輕元素對薄膜純度以及蒸發(fā)源性能及其壽命的影響，從而提高蒸發(fā)源性能與壽命。