一種可均勻濺射旋轉硅靶材及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110060541.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112899628A 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN112899628A 申請公布日 2021-06-04
分類號 C23C14/35;C23C4/131;C23C4/04 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 林志河 申請（專利權）人 福建阿石創(chuàng)新材料股份有限公司
代理機構 北京高沃律師事務所 代理人 劉瀟
地址 350200 福建省福州市長樂市航城街道琴江村太平里169號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種可均勻濺射旋轉硅靶材及其制備方法，屬于硅靶材技術領域。本發(fā)明提供的可均勻濺射旋轉硅靶材自內(nèi)而外包括襯管、位于所述襯管外表面的自粘結層、位于所述自粘結層表面兩端的第一磁性材料層和第二磁性材料層、以及硅外層；所述第一磁性材料層靠近自粘結層的第一端口且距離自粘結層的第一端口外緣3～5mm，所述第二磁性材料層靠近自粘結層的第二端口且距離自粘結層的第二端口外緣3～5mm。本發(fā)明通過在自粘結層表面兩端設置磁性材料層，能夠抵消在磁控濺射過程中磁棒兩端產(chǎn)生的磁場，從而降低兩端濺射速率，使硅靶材兩端使用程度和中間保持一致。