紅光發(fā)光二極管芯片及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011061527.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112366262B 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN112366262B 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L33/14;H01L33/24;H01L33/30;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蘭葉;李鵬;吳志浩 申請（專利權(quán)）人 華燦光電（浙江）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 呂耀萍
地址 322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供了一種紅光發(fā)光二極管芯片及其制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。芯片包括透明基板、P型半導(dǎo)體層、有源層、N型半導(dǎo)體層、P型電極、N型電極和電流擴(kuò)展層；P型半導(dǎo)體層上具有四棱柱狀臺階，四棱柱狀臺階的第二側(cè)面、第三側(cè)面和第四側(cè)面與四棱柱狀臺階的底面之間的夾角均為銳角，電流擴(kuò)展層鋪設(shè)在第二側(cè)面和第四側(cè)面上；電流擴(kuò)展層包括在平行于四棱柱狀臺階的底面的方向上交替層疊的第一子層和第二子層；第一子層和第二子層均為摻雜鎂的磷化鎵層，第一子層中鎂的摻雜濃度大于第二子層中鎂的摻雜濃度；P型電極設(shè)置在電流擴(kuò)展層、四棱柱狀臺階的頂面、以及第三側(cè)面上，N型電極設(shè)置在N型半導(dǎo)體層上。本公開可提高抗靜電能力。