發(fā)光二極管芯片及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010872056.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112216782B 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN112216782B 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L33/62（2010.01）I;H01L33/54（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蘭葉;吳志浩;李鵬 申請（專利權）人 華燦光電（浙江）有限公司
代理機構 北京三高永信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 代理人 呂耀萍
地址 322000浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供了一種發(fā)光二極管芯片及其制作方法，屬于半導體技術領域。芯片包括透明基板、N型半導體層、有源層、P型半導體層、N型電極、P型電極、絕緣層、N型焊盤、P型焊盤和保護層；外延層上設有凹槽和隔離槽；N型電極設置在N型半導體層上，P型電極設置在P型半導體層上；絕緣層鋪設在除N型電極和P型電極所在區(qū)域之外的區(qū)域上，絕緣層內設有第一通孔和第二通孔；N型焊盤設置在第一通孔內和絕緣層上，P型焊盤設置在第二通孔內和絕緣層上；N型焊盤和P型焊盤均包括依次層疊的腐蝕敏感層、腐蝕遲鈍層和焊接層，保護層插設在N型焊盤和P型焊盤的邊緣區(qū)域的腐蝕遲鈍層中，并至少延伸到N型焊盤和P型焊盤的設置表面。本公開可靠性較高。