發(fā)光二極管外延片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011061541.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112366259B 公開（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN112366259B 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類號(hào) H01L33/06;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姚振;從穎;董彬忠;李鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華燦光電（浙江）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 呂耀萍
地址 322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供了一種發(fā)光二極管外延片及其制備方法，屬于發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域。多量子阱層的壘層中，第一InGaN子層可實(shí)現(xiàn)與InGaN阱層之間的良好過渡，保證壘層在InGaN阱層上的生長(zhǎng)基礎(chǔ)，第一InN子層則作為過渡層，實(shí)現(xiàn)第一InGaN子層到SiN子層的良好過渡與生長(zhǎng)，提高SiN子層的晶體質(zhì)量。而SiN子層本身可起到阻擋位錯(cuò)延伸的作用，避免位錯(cuò)向上延伸，進(jìn)一步提高在SiN子層上生長(zhǎng)的外延結(jié)構(gòu)的晶體質(zhì)量。最后生長(zhǎng)的非摻雜GaN子層則起到常規(guī)的GaN壘層作用，保證多量子阱層可正常發(fā)光。多量子阱層的晶體質(zhì)量可得到大幅度提高，最終得到的發(fā)光二極管的發(fā)光效率也得到提高。