具有復(fù)合過渡層的發(fā)光二極管外延片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110520704.1 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113488567A 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號(hào) CN113488567A 申請公布日 2021-10-08
分類號(hào) H01L33/44（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王群;郭炳磊;葛永暉;王江波;董彬忠;李鵬 申請（專利權(quán)）人 華燦光電（浙江）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 呂耀萍
地址 322000浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了具有復(fù)合過渡層的發(fā)光二極管外延片及其制備方法，屬于發(fā)光二極管制作領(lǐng)域。復(fù)合過渡層中SiO2子層層疊在n型GaN層上，SiO2子層本身材料的熱膨脹系數(shù)小，減小對多量子阱層的影響。保證多量子阱層的發(fā)光質(zhì)量。SiO2子層在襯底的表面的正投影呈網(wǎng)狀，SiO2子層阻擋部分的位錯(cuò)。AlGaN子層生長時(shí)，兩個(gè)方向生長所產(chǎn)生的位錯(cuò)可以相互湮滅，AlGaN子層內(nèi)的缺陷較少，保證多量子阱層的質(zhì)量的同時(shí)有效阻隔了位錯(cuò)延伸至多量子阱層內(nèi)。多量子阱層的晶體質(zhì)量得到提高，可以減小非輻射復(fù)合，提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。