微型發(fā)光二極管外延片的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010936345.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112259646B 公開(kāi)（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN112259646B 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類號(hào) H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 洪威威;王倩;梅勁;張奕;董彬忠 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華燦光電（浙江）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 呂耀萍
地址 322000浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開(kāi)公開(kāi)了微型發(fā)光二極管外延片的制備方法，屬于發(fā)光二極管制作領(lǐng)域。在襯底上生長(zhǎng)n型層時(shí)，以較低的生長(zhǎng)壓力生長(zhǎng)n型層，MO源可以充分反應(yīng)得到質(zhì)量較好的n型層。發(fā)光層的生長(zhǎng)壓力整體的生長(zhǎng)壓力相對(duì)n型層更低，發(fā)光層中的In原子也有足夠的時(shí)間滲入發(fā)光層中，提高發(fā)光層捕捉載流子的能力與微型發(fā)光二極管的發(fā)光均勻度。p型層的生長(zhǎng)壓力高于n型層與發(fā)光層的生長(zhǎng)壓力，保證發(fā)光層的質(zhì)量。p型層的生長(zhǎng)壓力大于n型層與發(fā)光層的生長(zhǎng)壓力還可以起到p型層快速生長(zhǎng)。整體提供微型發(fā)光二極管的出光均勻度的同時(shí)也不會(huì)過(guò)度提高微型發(fā)光二極管的成本。