倒裝發(fā)光二極管芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110518546.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113488568A 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN113488568A 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L33/46（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張威;黃磊;連程杰;王佳;吳志浩;李鵬 申請（專利權）人 華燦光電（浙江）有限公司
代理機構 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 代理人 呂耀萍
地址 322000浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了倒裝發(fā)光二極管芯片及其制備方法，屬于發(fā)光二極管制作領域。在p型層與布拉格反射鏡之間增加腐蝕截止層，第一容納槽與第二容納槽延伸至腐蝕截止層。腐蝕截止層的增加避免布拉格反射鏡上的第一容納槽與第二容納槽的成形影響到p型層，保證p型層的表面質量。第一容納槽與第二任容納槽則提供了第一絕緣保護層的覆蓋空間，并將部分布拉格反射鏡包覆在第一絕緣保護層內進行保護，之后再在第一絕緣保護層的表面形成第一通孔與第二通孔。第一通孔與第二通孔形成時對已被第一絕緣保護層覆蓋的布拉格反射鏡沒有影響，有效保護了布拉格反射鏡的質量，保證了布拉格反射鏡的出光并保證了倒裝發(fā)光二極管芯片的發(fā)光效率。