微型發(fā)光二極管外延片的制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | 2020109363453 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112259646A | 公開（公告）日 | 2021-01-22 |
| 申請公布號 | CN112259646A | 申請公布日 | 2021-01-22 |
| 分類號 | H01L33/00(2010.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 洪威威;王倩;梅勁;張奕;董彬忠 | 申請（專利權(quán)）人 | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 呂耀萍 |
| 地址 | 322000浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公開公開了微型發(fā)光二極管外延片的制備方法，屬于發(fā)光二極管制作領(lǐng)域。在襯底上生長n型層時(shí)，以較低的生長壓力生長n型層，MO源可以充分反應(yīng)得到質(zhì)量較好的n型層。發(fā)光層的生長壓力整體的生長壓力相對n型層更低，發(fā)光層中的In原子也有足夠的時(shí)間滲入發(fā)光層中，提高發(fā)光層捕捉載流子的能力與微型發(fā)光二極管的發(fā)光均勻度。p型層的生長壓力高于n型層與發(fā)光層的生長壓力，保證發(fā)光層的質(zhì)量。p型層的生長壓力大于n型層與發(fā)光層的生長壓力還可以起到p型層快速生長。整體提供微型發(fā)光二極管的出光均勻度的同時(shí)也不會(huì)過度提高微型發(fā)光二極管的成本。?? |
