一種大尺寸低應(yīng)力單晶氮化物厚膜結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011495161.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112994646A 公開（公告）日 2021-06-18
申請公布號 CN112994646A 申請公布日 2021-06-18
分類號 H03H9/17（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I;H03H9/02（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 李國強 申請（專利權(quán)）人 廣州市艾佛光通科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 楊艷
地址 510700廣東省廣州市黃埔區(qū)金中路23號自編一棟辦公區(qū)303房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種大尺寸低應(yīng)力單晶氮化物厚膜結(jié)構(gòu)，包括襯底，及生長在所述襯底上的單晶氮化物厚膜；所述襯底上刻蝕有溝道，所述溝道將所述襯底的表面分成多個不連續(xù)的區(qū)域；所述溝道的深度大于所述單晶氮化物厚膜的厚度。本發(fā)明在溝道處理后的襯底上生長的單晶氮化物膜具有尺寸大、膜厚度大，同時應(yīng)力低、不卷曲、無裂紋的特點。本發(fā)明還公開了一種上述大尺寸低應(yīng)力單晶氮化物厚膜結(jié)構(gòu)的制備方法，對大尺寸襯底進(jìn)行了溝道圖形化，通過刻蝕溝道將襯底表面分割成多個獨立的不連續(xù)的區(qū)域，再進(jìn)行氮化物的生長，降低了大尺寸單晶氮化物在外延生長過程中的應(yīng)力積累，解決了目前大尺寸單晶氮化物厚膜易卷曲、裂紋的問題。