一種薄膜體聲波諧振器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810863619.3 申請日 -
公開（公告）號 CN109302158B 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN109302158B 申請公布日 2021-07-16
分類號 H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 李國強 申請（專利權）人 廣州市艾佛光通科技有限公司
代理機構 廣州容大知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 劉新年
地址 510000 廣東省廣州市黃埔區(qū)金中路23號自編一棟辦公區(qū)303房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種薄膜體聲波諧振器，包括生長襯底、壓電薄膜、頂電極和底電極；壓電薄膜在生長襯底上外延生長出，壓電薄膜的上表面制備得到頂電極，生長襯底上深刻蝕有下引孔，下引孔貫穿成長襯底和壓電薄膜；生長襯底的背面刻蝕形成空腔，生長襯底的下表面制備得到底電極。本發(fā)明還提供一種薄膜體聲波諧振器的制備方法。本發(fā)明的薄膜體聲波諧振器結構簡單，不易塌陷，可以很好的改善壓電膜的品質，將成為適用于未來高頻、高功率場合下射頻濾波器的解決方案。