一種大尺寸低應(yīng)力單晶氮化物厚膜結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202023081585.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN214458453U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-10-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN214458453U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-22 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B29/48;C30B25/00;C30B23/00;C30B33/08;H01L21/02 | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 李國(guó)強(qiáng) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廣州市艾佛光通科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州市越秀區(qū)哲力專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 楊艷 |
| 地址 | 510700 廣東省廣州市黃埔區(qū)金中路23號(hào)自編一棟辦公區(qū)303房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種大尺寸低應(yīng)力單晶氮化物厚膜結(jié)構(gòu)，包括襯底，及生長(zhǎng)在所述襯底上的單晶氮化物厚膜；所述襯底上刻蝕有溝道，所述溝道將所述襯底的表面分成多個(gè)不連續(xù)的區(qū)域；所述溝道的深度大于所述單晶氮化物厚膜的厚度。本實(shí)用新型通過(guò)刻蝕溝道將襯底表面分割成多個(gè)獨(dú)立的不連續(xù)的區(qū)域，再生長(zhǎng)氮化物層，降低了大尺寸單晶氮化物在外延生長(zhǎng)過(guò)程中的應(yīng)力積累和外延薄膜與襯底之間的應(yīng)力力矩，得到的大尺寸低應(yīng)力單晶氮化物厚膜結(jié)構(gòu)尺寸大、膜厚度大，同時(shí)應(yīng)力低、不卷曲、無(wú)裂紋，可應(yīng)用于FBAR濾波器的制備。 |
