一種高質(zhì)量單晶氮化鋁薄膜及其制備方法和應(yīng)用
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110529082.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113463199A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113463199A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-01 |
| 分類號(hào) | C30B29/40（2006.01）I;C23C16/06（2006.01）I;C23C16/24（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I;C30B23/02（2006.01）I;C30B29/68（2006.01）I;H01L41/18（2006.01）I;H01L41/316（2013.01）I;H01L41/39（2013.01）I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 李國(guó)強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廣州市艾佛光通科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州容大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉新年 |
| 地址 | 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)開(kāi)源大道136號(hào)B2棟1103室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高質(zhì)量單晶氮化鋁薄膜及其制備方法和應(yīng)用。所述制備方法包括在第一基板上依次生長(zhǎng)單晶氧化鋅薄膜、單晶氮化鋁成核層、單晶氮化鋁薄膜；然后在單晶氮化鋁薄膜上沉積鍵合層；將第二基板與鍵合層鍵合；最后去除第一基板和氧化鋅薄膜。本發(fā)明通過(guò)生長(zhǎng)氧化鋅薄膜，降低了氮化鋁薄膜與基板之間的晶格失配。采用PLD沉積法，沉積溫度低，降低了薄膜制備過(guò)程由于熱效應(yīng)造成的缺陷，從而提高了氮化鋁薄膜的晶體質(zhì)量。本發(fā)明制備的氮化鋁薄膜上方有一層氮化鋁薄膜，其可以繼續(xù)生長(zhǎng)氮化鋁薄膜，從而控制氮化鋁薄膜的厚度。 |
