一種圖形化Ag薄膜的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110103618.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112875640A | 公開（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112875640A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-01 |
| 分類號(hào) | B81C1/00;B81B1/00;C23F1/02 | 分類 | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
| 發(fā)明人 | 李國強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廣州市艾佛光通科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州容大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 何雪霞 |
| 地址 | 517000 廣東省河源市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新五路、泥金路西邊 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種圖形化Ag薄膜的制備方法，該制備方法包括以下步驟：制備Ag薄膜；在Ag薄膜表面預(yù)形成圖形化樣式的部分涂覆光刻膠；將Ag薄膜未涂覆光刻膠的部分進(jìn)行氧化處理至該部分轉(zhuǎn)變成Ag2O薄膜；將Ag2O薄膜進(jìn)行腐蝕處理至Ag2O薄膜消失；將剩余帶有光刻膠的Ag薄膜進(jìn)行光刻膠去除，即得。本發(fā)明可精準(zhǔn)控制Ag薄膜上圖形化部分的樣式和尺寸，并且應(yīng)用在芯片上可以提高芯片的電性能或者光反射率。此外，本發(fā)明的制備方法工藝穩(wěn)定，腐蝕一致性好，適合批量化生產(chǎn)。 |
