一種嵌入式電極結構LED器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110074335.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112864292A 公開（公告）日 2021-05-28
申請公布號 CN112864292A 申請公布日 2021-05-28
分類號 H01L33/14(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李國強 申請（專利權）人 廣州市艾佛光通科技有限公司
代理機構 廣州容大知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 劉新年
地址 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)開源大道136號B2棟1103室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體技術領域，具體涉及一種嵌入式電極結構LED器件及其制備方法。所述嵌入式電極結構LED器件包括從下到上依次排列的第二硅襯底、鍵合層、第一鈍化層、金屬層、反射鏡層、p?GaN層、AlGaN電子阻擋層、InGaN/GaN多量子阱層、n?GaN層和第二鈍化層；LED器件的p電極與n電極以嵌入式電極的形式均勻分布在器件內部的孔狀結構中，p電極與n電極的pad引出電極位于器件出光面的背面。本發(fā)明還提供了嵌入式電極結構LED器件的制備方法。本發(fā)明提供的嵌入式電極結構LED器件有效提高了器件的光提取效率、有利于電流擴展、具有優(yōu)異的散熱能力。??