一種基于3C-SiC薄膜的電極材料及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910703335.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110534348A 公開（公告）日 2019-12-03
申請公布號 CN110534348A 申請公布日 2019-12-03
分類號 H01G11/30;H01G11/24;H01G11/86;H01G11/50 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 涂溶;章嵩;張聯(lián)盟 申請（專利權(quán)）人 氣相科技（武漢）有限公司
代理機構(gòu) 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 代理人 崔友明;官群
地址 430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)理工園四路1號理工大科技園研發(fā)基地B2棟2層B2室217號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于3C?SiC薄膜的電極材料及其制備方法，該電極材料由單晶Si基板及生長在基板上的具有多孔結(jié)構(gòu)的3C?SiC薄膜組成。其制備方法步驟如下：1)將單晶Si基板放入沉積室，抽真空，使沉積室內(nèi)壓強降至10Pa以下；2)從沉積室側(cè)上方向沉積室內(nèi)通入H2，打開激光照射單晶Si基板表面，利用H2在高溫條件下刻蝕單晶Si基板，使基板表面形成凹凸結(jié)構(gòu)，刻蝕結(jié)束后，從沉積室側(cè)上方向沉積室內(nèi)通入含有HMDS的載流氣，調(diào)節(jié)沉積室內(nèi)沉積壓強，沉積生長3C?SiC多孔薄膜。該電極材料具有高比電容，可顯著提高超級電容器電容量，并且3C?SiC薄膜與Si基板連接較為牢固，適用于超級電容器領(lǐng)域。