一種具有高晶粒生長速率的釩薄膜制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011016815.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112144031A 公開（公告）日 2020-12-29
申請公布號 CN112144031A 申請公布日 2020-12-29
分類號 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 章嵩;涂溶;張聯(lián)盟 申請（專利權）人 氣相科技（武漢）有限公司
代理機構 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 代理人 崔友明;官群
地址 430223湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)理工園四路1號理工大科技園研發(fā)基地B2棟2層B2室217號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種具有高晶粒生長速率的釩薄膜的制備方法，具體步驟如下：1)采用非平衡型磁控濺射設備進行沉積，在設備的兩個相對放置的鏡像靶座上分別安裝一個釩靶材；2)將清洗干凈的襯底放置于樣品臺中心，將沉積腔抽真空至2×10?4Pa；3)以氬氣為濺射氣體，設定氬氣流量為8～30sccm，并調節(jié)Ar分壓為3Pa，將襯底溫度升溫至70℃；4)樣品臺以10r/min的速率自轉，設定濺射功率為80W，采用直流磁控濺射方式在襯底表面濺射沉積金屬釩薄膜。本發(fā)明采用優(yōu)選的磁控濺射工藝條件得到取向生長的金屬釩薄膜，柱狀晶粒形貌為羽毛狀晶，并且能夠使晶粒橫向生長速率明顯提升，得到晶粒橫向生長的釩薄膜材料。??