一種激光加熱制備外延石墨烯的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911222939.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111017914A 公開(kāi)（公告）日 2020-04-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN111017914A 申請(qǐng)公布日 2020-04-17
分類號(hào) C01B32/188 分類 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 涂溶;章嵩;張聯(lián)盟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 氣相科技（武漢）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 代理人 崔友明;官群
地址 430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)理工園四路1號(hào)理工大科技園研發(fā)基地B2棟2層B2室217號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種激光加熱制備外延石墨烯的方法，具體步驟如下：1)將SiC基板放入激光化學(xué)氣相沉積設(shè)備的沉積腔體，向腔體內(nèi)通入高純Ar氣，調(diào)節(jié)腔體內(nèi)氣體壓強(qiáng)為1000～10000Pa；2)開(kāi)啟激光照射SiC基板，使基板表面溫度以400～600℃/s的速率升溫至1500～2000℃，繼續(xù)照射1～5min；3)調(diào)節(jié)激光功率，使基板表面溫度以100～200℃/s的速率降溫至600℃，自然冷卻至室溫，在SiC基板表面得到外延石墨烯。本發(fā)明方法能夠快速制備大生長(zhǎng)面積外延石墨烯，制備的外延石墨烯具有高導(dǎo)電性，層數(shù)可控，晶體質(zhì)量高的特點(diǎn)。