一種電子級(jí)溴化氫氣體的制備方法及其在多晶硅柵極刻蝕中的應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110650267.5 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113247863B 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號(hào) CN113247863B 申請公布日 2021-10-12
分類號(hào) C01B7/09（2006.01）I;H01L21/3213（2006.01）I;B01J20/22（2006.01）I;B01J20/30（2006.01）I;B01D53/04（2006.01）I;B01D3/14（2006.01）I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 甘華平;秦遠(yuǎn)望;王戰(zhàn)思;李濤 申請（專利權(quán)）人 浙江陶特容器科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 代理人 何俊
地址 314400浙江省嘉興市海寧市周王廟鎮(zhèn)之江路30號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，公開了一種電子級(jí)溴化氫氣體的制備方法及其在多晶硅柵極刻蝕中的應(yīng)用。所述制備方法包括以下步驟：（1）制備改性硅膠吸附劑：在硅膠的孔壁上接枝以葡萄糖作為交聯(lián)劑的聚丙烯酸交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，獲得改性硅膠吸附劑；（2）制備電子級(jí)溴化氫：將溴化氫原料氣通入吸附劑中進(jìn)行至少一次吸附除雜，所述吸附劑含有改性硅膠吸附劑，而后再進(jìn)行精餾純化，獲得電子級(jí)溴化氫氣體。本發(fā)明采用改性硅膠吸附劑進(jìn)行吸附除雜，并與精餾純化相結(jié)合，能較大程度地去除溴化氫原料氣中的水等雜質(zhì)，防止多晶硅柵極刻蝕過程中由于雜質(zhì)污染而影響半導(dǎo)體性能。