一種利用高純電子級六氟丁二烯的半導(dǎo)體器件蝕刻方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110746524.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113257671B 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號 CN113257671B 申請公布日 2021-10-12
分類號 H01L21/311（2006.01）I;B01D53/04（2006.01）I;B01D53/26（2006.01）I;B01D53/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 甘華平;秦遠(yuǎn)望;李濤;陳躍 申請（專利權(quán)）人 浙江陶特容器科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 代理人 何俊
地址 314400浙江省嘉興市海寧市周王廟鎮(zhèn)之江路30號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，公開了一種利用高純電子級六氟丁二烯的半導(dǎo)體器件蝕刻方法，包括以下步驟：將聚丙烯酰胺交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)接枝到C型硅膠的孔壁上，制得吸水量響應(yīng)型硅膠；對六氟丁二烯原料氣依次進(jìn)行吸水量響應(yīng)型硅膠吸附除雜、輕組分精餾、重組分精餾后，獲得高純電子級六氟丁二烯；在半導(dǎo)體基底上形成絕緣層，在絕緣層上形成圖案化掩模層，使含有高純電子級六氟丁二烯的蝕刻氣體形成等離子體后，利用等離子體對絕緣層進(jìn)行干蝕刻。本發(fā)明所采用的吸水量響應(yīng)型硅膠能利用孔內(nèi)交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的吸水溶脹特性，使吸附初期和后期均具有較高的吸水速率，從而降低高純電子級六氟丁二烯中的水含量，防止其在蝕刻后對半導(dǎo)體器件的性能造成影響。