一種用于制備半導體多晶硅的甲硅烷-氫氣混合氣的充裝方法及其應用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110505719.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113309975A | 公開(公告)日 | 2021-08-27 |
申請公布號 | CN113309975A | 申請公布日 | 2021-08-27 |
分類號 | F17C5/00;F17C13/00;F17C13/02;B01J20/26;B01J20/18;C30B29/06;C30B28/14 | 分類 | 氣體或液體的貯存或分配; |
發(fā)明人 | 甘華平;秦遠望;李濤;陳躍 | 申請(專利權(quán))人 | 浙江陶特容器科技股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 杭州杭誠專利事務所有限公司 | 代理人 | 尉偉敏 |
地址 | 314400 浙江省嘉興市海寧市周王廟鎮(zhèn)之江路30號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及半導體領域,尤其涉及一種用于制備半導體多晶硅的甲硅烷?氫氣混合氣的充裝方法及其應用,該充裝方法中采用充裝系統(tǒng)進行甲硅烷和氫氣的混配充裝,具體包括:分別對甲硅烷和經(jīng)改性分子篩吸附除雜的氫氣進行純度檢測,檢測合格后,采用惰性氣體對管路進行抽真空置換,將甲硅烷充裝到混合氣儲罐內(nèi),再次對管路進行抽真空置換,再將經(jīng)改性分子篩吸附除雜的氫氣充裝到混合氣儲罐內(nèi),獲得甲硅烷?氫氣混合氣;所述改性分子篩為負載有氧化鈣的分子篩。采用本發(fā)明的充裝方法,能夠防止管路中的空氣影響混合氣純度,并利用改性分子篩提高除雜效率,更大限度地降低甲硅烷、氫氣混合氣中的雜質(zhì)含量。 |
