一種SiC半導(dǎo)體組件的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110482707.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113224132A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN113224132A 申請(qǐng)公布日 2021-08-06
分類(lèi)號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 李隆盛;洪建中;李傳英 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海瀚薪科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 201799上海市青浦區(qū)青平公路2855弄1-72號(hào)B座12層B區(qū)1225室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體組件技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，涉及一種SiC半導(dǎo)體組件的制作方法主要包括取表面生長(zhǎng)有SiC外延層的SiC襯底，在SiC外延層上生長(zhǎng)一層第一掩膜層，并在第一掩膜層上端面蝕刻出定義區(qū)，在定義區(qū)內(nèi)向SiC外延層內(nèi)部植入深層P阱，植入深層P阱后在定義區(qū)內(nèi)部沉積一層氧化物和多晶硅，再通過(guò)蝕刻形成第一側(cè)壁，通過(guò)第一側(cè)壁向SiC外延層內(nèi)部植入間層P阱，在有第一側(cè)壁的間層P阱內(nèi)沉積一層多晶硅后蝕刻出第二側(cè)壁，并通過(guò)第二側(cè)壁向SiC外延層內(nèi)部植入淺層P阱，向有第一側(cè)壁和第二側(cè)壁的定義區(qū)內(nèi)部再沉積一層多晶硅，在多晶硅表面上一層光阻，然后在定義區(qū)形成后續(xù)P+離子植入的遮蔽膜。該發(fā)明有效的提高了SiCMOSFET的耐壓性能，且MOSFET可做的更小。