碳化硅半導(dǎo)體元件以及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410840780.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105810731B 公開(kāi)（公告）日 2019-03-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN105810731B 申請(qǐng)公布日 2019-03-01
分類(lèi)號(hào) H01L29/78（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/41（2006.01）I; H01L29/36（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 顏誠(chéng)廷; 洪建中; 黃堯峯; 洪湘婷; 李傳英 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海瀚薪科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王玉雙;常大軍
地址 中國(guó)臺(tái)灣新竹市埔頂路18號(hào)6樓之5
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種碳化硅半導(dǎo)體元件以及其制造方法，藉由設(shè)置一通道控制區(qū)域，并令所述通道控制區(qū)域具有一從一第一摻雜邊界開(kāi)始遞增，并于所述第一摻雜邊界與一第二摻雜邊界之間達(dá)到一最大值，而后朝所述第二摻雜邊界遞減的雜質(zhì)濃度分布，使得所述碳化硅半導(dǎo)體元件，能夠在不犧牲臨界電壓的情況下，降低導(dǎo)通電阻，提升其漏極電流。