一種LPCVD鍍膜工藝后期基板冷卻系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610811578.4 申請日 -
公開（公告）號 CN106191818A 公開（公告）日 2016-12-07
申請公布號 CN106191818A 申請公布日 2016-12-07
分類號 C23C16/46(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 袁建輝 申請（專利權(quán)）人 北京精誠鉑陽光電設(shè)備有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 101400 北京市懷柔區(qū)雁棲經(jīng)濟開發(fā)區(qū)雁棲大街31號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于LPCVD鍍膜工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種LPCVD鍍膜工藝后期基板冷卻系統(tǒng)。本發(fā)明一種LPCVD鍍膜工藝后期基板冷卻系統(tǒng)包括：冷卻腔室、水冷板組件和氮氣進氣管路；所述冷卻腔室包括腔室上蓋和冷卻腔腔體；所述水冷板組件包括水冷板和內(nèi)嵌于所述水冷板的冷卻管；所述冷卻管一端設(shè)有冷卻水進水口；所述氮氣進氣管路包括氮氣進氣口和氮氣出口。本發(fā)明在鍍膜工藝沉積完成后，可以是鍍膜基板溫度均勻且能快速降低下來，防止基板出現(xiàn)翹曲和炸裂的情況。