上電極結(jié)構(gòu)及等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510225072.0 申請日 -
公開（公告）號 CN104789947B 公開（公告）日 2018-07-06
申請公布號 CN104789947B 申請公布日 2018-07-06
分類號 C23C16/513 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 南建輝;王崧;何嘉 申請（專利權(quán)）人 北京精誠鉑陽光電設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 趙囡囡;吳貴明
地址 100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)錦繡街7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種上電極結(jié)構(gòu)及等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置。該上電極結(jié)構(gòu)包括中心電極板和圍繞中心電極板并與中心電極板連接的外圍電極板，外圍電極板的底面低于中心電極板的底面，且上電極結(jié)構(gòu)中具有貫穿上電極結(jié)構(gòu)的通氣孔道。由于外圍電極板的底面低于中心電極板的底面，且上電極結(jié)構(gòu)中具有貫穿上電極結(jié)構(gòu)的通氣孔道，從而能夠使上電極結(jié)構(gòu)的底面形成有拱形結(jié)構(gòu)，進(jìn)而提高了通過上電極結(jié)構(gòu)的工藝氣體的氣流均勻性，使利用工藝氣體沉積形成的薄膜具有更好的均勻性；并且，由于上電極結(jié)構(gòu)包括有連接設(shè)置的中心電極板和外圍電極板，從而能夠通過調(diào)節(jié)中心電極板和外圍電極板的位置關(guān)系進(jìn)一步地對工藝氣體的氣流均勻性進(jìn)行優(yōu)化。