電傳輸饋入結(jié)構(gòu)及具有其的PECVD設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510451915.9 申請日 -
公開（公告）號 CN105039936B 公開（公告）日 2017-10-27
申請公布號 CN105039936B 申請公布日 2017-10-27
分類號 C23C16/54(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 楊娜;曲銘浩;莊春泉;張津燕;徐希翔;胡安紅;張迎春 申請（專利權(quán)）人 北京精誠鉑陽光電設(shè)備有限公司
代理機構(gòu) 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 代理人 趙囡囡;吳貴明
地址 100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)錦繡街7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種電傳輸饋入結(jié)構(gòu)及具有其的PECVD設(shè)備，電傳輸饋入結(jié)構(gòu)包括：兩個屏蔽層；兩個絕緣介質(zhì)層，設(shè)置在兩個屏蔽層之間；導電層，設(shè)置在兩個絕緣介質(zhì)層之間；導電層包括輸入端和輸出端，輸出端包括多個連接點。通過本發(fā)明提供的技術(shù)方案能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中薄膜不均勻的問題。