一種利用活潑金屬氧化物優(yōu)化鈷基薄膜電感材料磁性能的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011120360.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112509806B 公開（公告）日 2021-12-24
申請公布號 CN112509806B 申請公布日 2021-12-24
分類號 H01F41/18;H01F41/22 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐秀蘭;于廣華;馮春 申請（專利權(quán)）人 廣東麥格智芯精密儀器有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市廣友專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 代理人 張仲波
地址 528200 廣東省佛山市南海區(qū)大瀝鎮(zhèn)鹽步廣佛路橫江路段65號之五二樓245室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種利用活潑金屬氧化物優(yōu)化鈷基薄膜電感材料磁性能的方法，屬于信息存儲及電感技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明選擇由較活潑金屬構(gòu)成的離子型氧化物作為阻隔層，并采用軌道雜化工程來實(shí)現(xiàn)薄膜軟磁性能的控制，得到有益的、適度的Co?O軌道雜化狀態(tài)，進(jìn)而優(yōu)化鐵磁薄膜材料磁性能。離子型氧化物化學(xué)鍵能低，活潑性強(qiáng)，相較于Al金屬而言，更活潑的金屬Hf或Mg較易從Co中奪取O，使得界面氧化狀態(tài)呈現(xiàn)不同程度的欠氧、適氧、過氧，增加了調(diào)節(jié)的范圍和可控性，因而可以使得Co?O的軌道雜化狀態(tài)向適度改變，從而引起Co基軟磁材料/MO磁性能的改變，具有工藝簡單、控制方便、效率高、成本低等優(yōu)點(diǎn)，適合應(yīng)用于未來信息存儲和電感技術(shù)中。