一種納米薄膜制備及化學狀態(tài)測試系統(tǒng)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202121325962.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN215297194U | 公開(公告)日 | 2021-12-24 |
申請公布號 | CN215297194U | 申請公布日 | 2021-12-24 |
分類號 | G01N23/2273(2018.01)I;G01N23/2202(2018.01)I;G01N23/2204(2018.01)I | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 于泠然;徐秀蘭;于廣華;馮春;滕蛟;李明華;王學敏 | 申請(專利權(quán))人 | 廣東麥格智芯精密儀器有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京市廣友專利事務所有限責任公司 | 代理人 | 張仲波 |
地址 | 528200廣東省佛山市南海區(qū)大瀝鎮(zhèn)鹽步廣佛路橫江路段65號之五二樓245室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型公開了一種納米薄膜制備及化學狀態(tài)測試系統(tǒng),系統(tǒng)包括制備室以及與制備室連接的分析室,制備室和分析室均為真空,且制備室的真空度小于分析室的真空度;制備室內(nèi)具有氬離子槍和制備平臺;分析室內(nèi)具有X射線光電子能譜分析儀,X射線光電子能譜分析儀用于對制備室制備得到的薄膜材料的表面原子進行化學狀態(tài)測試;系統(tǒng)還包括設置在制備室和分析室內(nèi)的樣品輸送裝置,樣品輸送裝置用于將制備室制備得到的薄膜材料輸送至分析室內(nèi)。本方案中制備的薄膜材料不會經(jīng)歷空氣的曝光,不需要用Ar離子槍把薄膜材料表面的氧化層蝕刻掉,從而避免薄膜材料中電子結(jié)合能的變化,因此可以提高薄膜材料的表面原子的化學狀態(tài)的測試的準確度。 |
