一種具有垂直磁各向異性的磁性薄膜制備方法及磁性薄膜

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110707989.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113549884A 公開（公告）日 2021-10-26
申請公布號 CN113549884A 申請公布日 2021-10-26
分類號 C23C14/35（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/14（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 于廣華;郭日思;徐秀蘭;馮春;李明華 申請（專利權(quán)）人 廣東麥格智芯精密儀器有限公司
代理機構(gòu) 北京市廣友專利事務(wù)所有限責任公司 代理人 張仲波
地址 528200廣東省佛山市南海區(qū)大瀝鎮(zhèn)鹽步廣佛路橫江路段65號之五二樓245室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有垂直磁各向異性的磁性薄膜制備方法及磁性薄膜，屬于磁性薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域。所述制備方法通過利用磁控濺射儀于室溫條件下在基底材料上依次沉積Ta/CoFeB/MgO/Ta多層膜，其中，MgO層的制備是通過直流濺射金屬Mg靶材，在Mg層的沉積過程中向主真空室通入一定量的高純氧氣反應濺射獲得。本發(fā)明中當濺射沉積Mg層時，采用通入適當比例氧氣的方法，O原子較氧化物沉積時少量與Co、Fe結(jié)合，得到了適當?shù)难趸癄顟B(tài)，避免了傳統(tǒng)磁控濺射制備工藝中存在的鐵磁層被過度氧化。該方法所制備的磁性薄膜無需真空退火處理，在MgO層的制備過程中能夠通過改變?yōu)R射時氬氣和氧氣流量比值來調(diào)節(jié)O的摻入量，工藝簡單，所制備的磁性薄膜具有優(yōu)異的垂直磁各向異性。