一種提升高壓可靠性的ESD電路
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010441654.3 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN111564832A | 公開(kāi)(公告)日 | 2020-08-21 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN111564832A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-21 |
分類號(hào) | H02H9/04(2006.01)I | 分類 | - |
發(fā)明人 | 張超;汪堅(jiān)雄;胡梟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 上海傳卓電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海怡恩專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 上海傳卓電子有限公司 |
地址 | 200233上海市浦東新區(qū)云漢路979號(hào)2樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提出了一種提升高壓可靠性的ESD電路,具體涉及集成電路靜電放電保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域,旨在解決現(xiàn)有ESD電路中存在的高壓可靠性低的問(wèn)題。本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種新型耐高壓結(jié)構(gòu),由耐高壓正向?qū)ǘO管和耐高壓反向?qū)ǘO管組成,在版圖中可以共享PN結(jié)的N型區(qū)域。本發(fā)明采用分壓結(jié)構(gòu)與低壓保護(hù)結(jié)構(gòu)對(duì)電路進(jìn)行保護(hù),利用高功率NMOS管泄放ESD電流。本發(fā)明所提出的ESD電路耐直流高壓電平的可靠性和ESD防護(hù)能力強(qiáng),芯片具有實(shí)現(xiàn)的復(fù)雜度低、面積小的優(yōu)點(diǎn)。?? |
