一種制作InSb紅外探測器的材料結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910074399.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109817754A 公開（公告）日 2019-05-28
申請公布號 CN109817754A 申請公布日 2019-05-28
分類號 H01L31/105（2006.01）I; H01L31/0352（2006.01）I; H01L31/0304（2006.01）I; H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張楊; 趙曉蒙 申請（專利權(quán)）人 中科芯電半導(dǎo)體科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同輝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫艷敏;張曉斐
地址 100076 北京市大興區(qū)西紅門鎮(zhèn)金盛大街2號院23號樓二層（中科芯電）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種制作InSb紅外探測器的材料結(jié)構(gòu)及其制備方法，該材料結(jié)構(gòu)包括襯底、以及在襯底上依次生長的防漏電緩沖層、n型InSb重?fù)诫s層、InSb本征吸收層、p型InSb輕摻雜層、p型AlInSb勢壘層和p型InSb重?fù)诫s層。制備方法是在襯底上采用MBE的方法依次生長防漏電緩沖層、n型InSb重?fù)诫s層等。本發(fā)明通過防漏電緩沖層減少了InSb的缺陷密度和漏電流，采用p型重?fù)诫s勢壘層，降低了InSb紅外探測器的在反偏電壓下的暗電流和工作時的噪聲電流，提高了探測率和最高工作溫度。