一種GaAs基高電子遷移率晶體管材料及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810660416.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108565285B 公開(kāi)（公告）日 2021-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN108565285B 申請(qǐng)公布日 2021-09-28
分類(lèi)號(hào) H01L29/778（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/205（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 張楊;曾一平 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 中科芯電半導(dǎo)體科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同輝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張素紅
地址 100076北京市大興區(qū)西紅門(mén)鎮(zhèn)金盛大街2號(hào)院23號(hào)樓二層（中科芯電）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種GaAs基高電子遷移率晶體管材料及其制備方法，該器件包括GaAs襯底、GaAs緩沖層、InGaAs溝道層、n?AlGaAs蝕刻停止層、N+GaAs帽層，其特征在于，所述GaAs緩沖層采用的生長(zhǎng)溫度是低溫。制備方法是在GaAs襯底上低溫條件下生長(zhǎng)一層GaAs緩沖層；然后再在GaAs緩沖層上繼續(xù)依次生長(zhǎng)高電子遷移率晶體管有源區(qū)結(jié)構(gòu)：InGaAs溝道層、n?AlGaAs蝕刻停止層、N+GaAs帽層。本發(fā)明通過(guò)生長(zhǎng)低溫GaAs緩沖層取代原有的緩沖層，目的是避免在高電子遷移率晶體管結(jié)構(gòu)的緩沖層處形成平行電導(dǎo)，從而在器件工作時(shí)產(chǎn)生緩沖層漏電現(xiàn)象，這樣可以提高器件的最大工作頻率，同時(shí)有效地降低器件的閾值電壓。