一種增大自旋軌道耦合的方法和晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010050900.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110875182A 公開（公告）日 2020-03-10
申請公布號 CN110875182A 申請公布日 2020-03-10
分類號 H01L21/335;H01L29/20;H01L29/778 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張楊;崔利杰 申請（專利權(quán)）人 中科芯電半導體科技（北京）有限公司
代理機構(gòu) 北京同輝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫艷敏
地址 100076 北京市大興區(qū)西紅門鎮(zhèn)金盛大街2號院23號樓二層（中科芯電）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種增大自旋軌道耦合的方法和晶體管，該方法是采用分子束外延或金屬有機物化學氣相沉積的方式，在晶體管InxGa1?xAs量子阱溝道層中使In組分的含量線性漸變增加，相應(yīng)的，Ga組分的含量線性漸變減少。所述晶體管包括InP襯底，以及自InP襯底上依次外延生長的InAlAs緩沖層、InxGa1?xAs量子阱溝道層、InAlAs空間隔離層、Si delta摻雜層、InAlAs勢壘層和InGaAs帽層，其中，所述InxGa1?xAs量子阱溝道層中In組分線性漸變增加。通過使用溝道線性In組分漸變來增大半導體材料（晶體管）中的自旋軌道耦合，能更好地調(diào)控自旋這個參量，為未來具有自旋軌道耦合的半導體材料能夠投入到實際應(yīng)用做好鋪墊。