一種應(yīng)用于高電子遷移率晶體管的緩沖層結(jié)構(gòu)和材料結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201921265321.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN210349843U | 公開（公告）日 | 2020-04-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN210349843U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-04-17 |
| 分類號(hào) | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張楊;李弋洋 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 中科芯電半導(dǎo)體科技（北京）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京同輝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 鄭鑫圓 |
| 地址 | 100076 北京市大興區(qū)西紅門鎮(zhèn)金盛大街2號(hào)院23號(hào)樓二層（中科芯電） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種應(yīng)用于高電子遷移率晶體管的緩沖層結(jié)構(gòu)和高電子遷移率晶體管材料結(jié)構(gòu)，在與外延InSb HEMT大失配的Si襯底上生長多層緩沖層結(jié)構(gòu)以緩解晶格失配產(chǎn)生的應(yīng)力，并在襯底上依次構(gòu)造第一InAlSb緩沖層、InAlSb?Be電子隔離層、第二InAlSb緩沖層和InAlSb/InSb超晶格(SL)緩沖層，這樣生長的緩沖層結(jié)構(gòu)既起到了緩解襯底與外延層之間的晶格失配的作用，又作為電子阻擋層避免了Si襯底作為施主雜質(zhì)進(jìn)入InAlSb產(chǎn)生自由電子進(jìn)入InSb量子阱導(dǎo)電層，影響器件載流子遷移率以及器件響應(yīng)速度。 |
