改善低摻雜濃度材料表面歐姆接觸的方法及材料
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811137925.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN109273357B | 公開（公告）日 | 2021-03-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109273357B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-23 |
| 分類號(hào) | H01L21/285(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張楊;李弋洋 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 中科芯電半導(dǎo)體科技（北京）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京同輝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 張素紅 |
| 地址 | 100076北京市大興區(qū)西紅門鎮(zhèn)金盛大街2號(hào)院23號(hào)樓二層（中科芯電） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了改善低摻雜濃度材料表面歐姆接觸的方法及表面生長(zhǎng)Ga金屬的低摻雜濃度材料，改善低摻雜濃度材料表面歐姆接觸的方法，包括以下步驟：(1)在低摻雜濃度材料表面上外延生長(zhǎng)鎵金屬，鎵金屬覆蓋在低摻雜濃度材料表面上呈圓形薄膜層；(2)將表面生長(zhǎng)鎵金屬的低摻雜濃度材料在氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行退火，使鎵金屬與低摻雜濃度材料形成歐姆接觸。表面生長(zhǎng)Ga金屬的低摻雜濃度材料，所述低摻雜濃度材料的表面上覆蓋呈直徑為0.6?1.5mm的圓形Ga金屬薄膜層，所述低摻雜濃度材料上有6?15μm厚的Ga金屬。所述低摻雜濃度材料為III?V族化合物半導(dǎo)體材料。?? |
