應(yīng)用于VCSEL結(jié)構(gòu)外延片的光致發(fā)光測(cè)試的逐層刻蝕方法及其VCSEL結(jié)構(gòu)外延片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811563848.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109507006B 公開(kāi)（公告）日 2021-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN109507006B 申請(qǐng)公布日 2021-09-28
分類(lèi)號(hào) G01N1/32（2006.01）I;G01N21/00（2006.01）I;G01M11/02（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I;H01S5/183（2006.01）I 分類(lèi) 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 張楊;李弋洋 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 中科芯電半導(dǎo)體科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同輝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張素紅
地址 100076北京市大興區(qū)西紅門(mén)鎮(zhèn)金盛大街2號(hào)院23號(hào)樓二層（中科芯電）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了應(yīng)用于VCSEL結(jié)構(gòu)外延片的光致發(fā)光測(cè)試的逐層刻蝕方法及其VCSEL結(jié)構(gòu)外延片，逐層刻蝕方法包括以下步驟：（1）在VCSEL結(jié)構(gòu)外延片的上方放置一個(gè)激光器，使所述激光器的出射光對(duì)準(zhǔn)VCSEL結(jié)構(gòu)外延片；（2）調(diào)節(jié)所述激光器照射在所述VCSEL結(jié)構(gòu)外延片上的光斑直徑為1.5?2.5mm，調(diào)節(jié)所述激光器的輸出功率為500W；（3）所述激光器對(duì)所述VCSEL結(jié)構(gòu)外延片進(jìn)行激光刻蝕，待所述VCSEL結(jié)構(gòu)外延片的刻蝕深度到達(dá)3?5μm后，停止激光刻蝕。VCSEL結(jié)構(gòu)外延片，所述VCSEL結(jié)構(gòu)外延片上的刻蝕區(qū)域是直徑為1.5?2.5mm的圓形，所述VCSEL結(jié)構(gòu)外延片的刻蝕深度為3?5μm。