一種增大自旋軌道耦合的方法和自旋晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010050900.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110875182B 公開（公告）日 2020-03-10
申請公布號 CN110875182B 申請公布日 2020-03-10
分類號 H01L21/335(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 張楊;崔利杰 申請（專利權）人 中科芯電半導體科技（北京）有限公司
代理機構 北京同輝知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 孫艷敏
地址 100076北京市大興區(qū)西紅門鎮(zhèn)金盛大街2號院23號樓二層（中科芯電）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種增大自旋軌道耦合的方法和晶體管，該方法是采用分子束外延或金屬有機化學氣相沉積的方式，在晶體管InxGa1?xAs量子阱溝道層中使In組分的含量線性漸變增加，相應的，Ga組分的含量線性漸變減少。所述晶體管包括InP襯底，以及自InP襯底上依次外延生長的InAlAs緩沖層、InxGa1?xAs量子阱溝道層、InAlAs空間隔離層、Si delta摻雜層、InAlAs勢壘層和InGaAs帽層，其中，所述InxGa1?xAs量子阱溝道層中In組分線性漸變增加。通過使用溝道線性In組分漸變來增大半導體材料（晶體管）中的自旋軌道耦合，能更好地調控自旋這個參量，為未來具有自旋軌道耦合的半導體材料能夠投入到實際應用做好鋪墊。??