具有緩沖保護(hù)膜的異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111173825.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113782631A 公開（公告）日 2021-12-10
申請公布號 CN113782631A 申請公布日 2021-12-10
分類號 H01L31/0747（2012.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏申江;李險(xiǎn)峰;邱宏;劉云南;錢寶鐸;張山山 申請（專利權(quán)）人 中建材光電裝備（太倉）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 安徽省蚌埠博源專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 朱恒蘭
地址 215400江蘇省蘇州市太倉市太倉港港口開發(fā)區(qū)長江大道189號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有緩沖保護(hù)膜的異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法，它包括晶體硅襯底（1），其正反兩面均沉積有非晶硅本征層（2），非晶硅本征層的外側(cè)分別沉積有N?型和P?型摻雜非晶硅層，P?型摻雜非晶硅層（4）外側(cè)沉積有緩沖保護(hù)透明導(dǎo)電膜（5），緩沖保護(hù)透明導(dǎo)電膜和N?型摻雜非晶硅層（3）的外側(cè)沉積制備有透明導(dǎo)電層（6），透明導(dǎo)電層的外側(cè)設(shè)有金屬電極（7），制備方法包括：采用氣相沉積法在P?型摻雜非晶硅層上沉積緩沖保護(hù)透明導(dǎo)電膜，采用磁控濺射法在緩沖保護(hù)透明導(dǎo)電膜和N?型非晶硅上沉積透明導(dǎo)電層。本發(fā)明極大地降低了低高能粒子對摻雜非晶硅層的轟擊損傷，保護(hù)了異質(zhì)結(jié)電池PN結(jié)性能，提升異質(zhì)結(jié)太陽能電池性能。