鈍化接觸電池及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811313140.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110459642B 公開(kāi)（公告）日 2021-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN110459642B 申請(qǐng)公布日 2021-07-20
分類號(hào) H01L31/18;H01L31/0216 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊亞娣;蔡文浩;麻增智;顧文操;錢小立;盛健 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 協(xié)鑫集成科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 唐清凱
地址 201406 上海市奉賢區(qū)南橋鎮(zhèn)江海經(jīng)濟(jì)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種鈍化接觸電池及其制備方法。該鈍化接觸電池的制備方法包括以下步驟：在N型硅片的正面形成P+層；去除背面的背結(jié)，之后在背面依次形成隧穿氧化層、非晶硅層以及N+層；增加背面掩膜的厚度，之后依次去除正面磷硅玻璃、正面非晶硅層、背面掩膜與正面硼硅玻璃；在正面生長(zhǎng)氧化鋁，之后在正面和背面形成氮化硅膜；以及印刷銀電極，燒結(jié)之后得到鈍化接觸電池。上述鈍化接觸電池的制備方法，通過(guò)對(duì)背面掩膜高溫氧化處理，增加背面掩膜的厚度，耐氫氧化四甲基銨溶液腐蝕能力增強(qiáng)，完全去除硅片正面非晶硅層的同時(shí)，較好的保護(hù)硅片背面的非晶硅層。解決了在制備鈍化接觸電池過(guò)程中非晶硅繞鍍的難題，使得接觸鈍化電池更易于實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。