一種改善超級電容器自放電的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711487830.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108231432B 公開（公告）日 2019-12-13
申請公布號 CN108231432B 申請公布日 2019-12-13
分類號 H01G11/84（2013.01）; H01G11/86（2013.01）; H01G11/30（2013.01）; H01G11/32（2013.01）; H01G11/46（2013.01）; C23C16/40（2006.01）; C23C16/455（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于圣明; 胡韜; 解明 申請（專利權(quán)）人 武漢艾特米克超能新材料科技有限公司
代理機構(gòu) 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 武漢艾特米克超能新材料科技有限公司
地址 430000 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)光谷大道303號光谷.芯中心2-03棟302室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于電化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種改善超級電容器自放電的方法，該方法包括如下步驟：1）將活性碳電極作為基底放入真空反應(yīng)腔室中；2）向真空反應(yīng)腔室中通入第一前驅(qū)氣體，第一前驅(qū)氣體與活性碳電極的表面官能團發(fā)生反應(yīng)；3）用惰性氣體沖洗；4）以第一前驅(qū)氣體為金屬源，以第二前驅(qū)氣體為氧源，將第一前驅(qū)氣體和第二前驅(qū)氣體通入真空反應(yīng)腔室中，在惰性氣體氛圍中，進(jìn)行原子層沉積循環(huán)，直至在形成目標(biāo)厚度的金屬氧化物薄膜。采用原子層沉積技術(shù)將金屬氧化物沉積在活性碳電極表面形成包覆層，改善碳電極表面結(jié)構(gòu)，增強超級電容器在使用過程當(dāng)中的穩(wěn)定性；可通過控制反應(yīng)進(jìn)行的周期數(shù)即能達(dá)到簡單精確控制薄膜生長所需厚度的目的。