一種集成鉗位二極管結(jié)構(gòu)及形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210108723.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114388495A 公開（公告）日 2022-04-22
申請公布號 CN114388495A 申請公布日 2022-04-22
分類號 H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 呂宇強;鞠建宏 申請（專利權(quán)）人 江蘇帝奧微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 北京睿智保誠專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 韓迎之
地址 226000江蘇省南通市崇州大道60號南通創(chuàng)新區(qū)紫瑯科技城8號樓6層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種集成鉗位二極管結(jié)構(gòu)及形成方法，其中結(jié)構(gòu)包括：芯片本體、深N阱層、N型重摻雜埋層及P型重摻雜層；所述深N阱層、所述N型重摻雜埋層及所述P型重摻雜層均依次設(shè)置于所述芯片本體的內(nèi)部；本發(fā)明通過設(shè)置該鉗位保護器件的擊穿電壓和鉗位電壓，使得在芯片正常工作時不影響表面功能電路正常工作，僅在過壓超過最大工作電壓一定閾值時觸發(fā)時并鉗位，形成ESD和EOS保護，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中單芯片集成ESD和EOS保護會大大增加芯片額外面積的技術(shù)問題。