一種集成過壓保護(hù)二極管的NLDMOS器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202220376568.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN216818345U | 公開（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN216818345U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-24 |
| 分類號(hào) | H01L29/78（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 呂宇強(qiáng);鞠建宏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇帝奧微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京睿智保誠專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 226000江蘇省南通市崇州大道60號(hào)南通創(chuàng)新區(qū)紫瑯科技城8號(hào)樓6層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種集成過壓保護(hù)二極管的NLDMOS器件，應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，包括P型半導(dǎo)體襯底，在P型半導(dǎo)體襯底內(nèi)由下至上設(shè)有P型重?fù)诫s埋層和N型重?fù)诫s埋層，外延層位于P型半導(dǎo)體襯底的頂部；N型重?fù)诫s埋層的引出深N阱位于所述外延層內(nèi)；引出深N阱的表面設(shè)有引出漏極N+接觸區(qū)；在引出深N阱和功率開關(guān)管漏極之間設(shè)有隔離淺槽；功率開關(guān)管漏極、功率開關(guān)管柵極、功率開關(guān)管源極和功率開關(guān)管背柵極均位于外延層。本實(shí)用新型僅通過增加一個(gè)工藝層次，形成了內(nèi)置于芯片自身功率開關(guān)管下方的體內(nèi)浪涌保護(hù)二極管，實(shí)現(xiàn)高效率、低成本的解決ESD和浪涌等過壓電應(yīng)力的集成化保護(hù)的創(chuàng)新方案。 |
